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경찰이 수조 원의 가치를 지닌 삼성전자 반도체 기술을 중국으로 유출한 임원과 연구원을 구속 송치했다.
10일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률과 부정 경쟁 방지 및 영업비밀 보호에 관한 법률 위반 혐의로 C사 대표 A씨(66)와 공정설계실장 B씨(60)를 구속 송치했다고 밝혔다.
이들은 삼성전자의 20나노급 D램 메모리 반도체 공정 단계별 핵심기술을 유출하고 부정 사용한 혐의를 받는다.
A씨는 2021년 1월 반도체 D램 연구 및 제조 공장을 건설해 2022년 4월 시범 웨이퍼를 생산했다.
이 과정에서 B씨는 삼성전자의 핵심기술을 유출해 이직한 후 공장설계의 핵심적인 역할을 수행했다.
경찰은 지난해 2월께 첩보를 입수해 중국 현지 출장 수사 등을 통해 관련자의 진술과 기술자료를 확보해 사실관계를 확인했다.
같은 해 8월부터 피의자의 주거지와 사무실 등을 압수수색하고 증거자료 포렌식, 피의자 및 참고인 조사 등 다각적으로 수사를 진행했다.
삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조3억원, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달한다.
피해 기술의 경제적 가치는 약 4조3억원에 이르며 경제효과를 고려할 때 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준으로 파악된다.
경찰은 C사로 이직한 30여명 임직원들을 추가로 입건했으며, 해외로 이직하는 과정에서 기술 유출을 위한 불법 인력송출이 있었는지 등에 대해 수사하고 있다.
경찰 관계자는 “기업 대상 예방 교육 실시 등 협력 활동을 지속해서 확대하고, 전문 수사요원들을 투입해 산업기술의 해외유출 사범에 대한 첩보 수집 및 단속 활동을 강도 높게 이어나갈 방침”이라고 말했다.
심성아 기자 heart@asiae.co.kr
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