'상공의 날' 대통령 표창 수상 소감
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| 장태수 SK하이닉스 부사장이 '상공의 날' 대통령 표창을 수상한 뒤 기념 촬영을 하고 있다. /SK하이닉스 |
[더팩트ㅣ이성락 기자] 장태수 SK하이닉스 부사장이 "지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.
장 부사장은 20일 공개된 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 "세계 최초로 최단기간 내 10나노(nm)급 6세대 미세공정 기술이 적용된 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높였다"고 '상공의 날' 대통령 표창 수상 소감을 전하며 이같이 밝혔다.
장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술과 소자 연구에 매진한 전문가다. 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.
'1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 내기도 했다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.
장 부사장은 "선배들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과"라며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다.
장 부사장은 기술 개발을 통해 고대역폭메모리(HBM) 성능을 높이는 데 기여하겠다는 계획이다.
D램 셀 크기를 줄이면 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 규격이 정해진 HBM의 칩 크기·높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있다는 이야기다.
장 부사장은 "미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"며 "이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속화할 것"이라고 예상했다.
이어 "데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재와 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 덧붙였다.
rocky@tf.co.kr
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