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조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 생산을 장려하기 위해 마련한 390억달러(약 50조원) 규모의 보조금을 본격적으로 풀기 위한 절차에 돌입한다.
바이든 정부에서 반도체 정책을 총괄하는 지나 러몬도 미 상무부 장관은 "한국과 긴밀히 대화하고 있다"면서 한국 기업이 미국에 공장을 짓고 사업을 한다면 보조금 신청을 환영한다고 말했다.
미국의 보조금 지원 소식에도 국내 반도체 업계는 쉽사리 미소 지을 수 없는 상황이다.
미국의 보조금을 받는 기업은 중국 내에서 일정 수준 이상의 반도체 생산능력을 확대하면 안 된다는 조건이 있어 중국에 반도체 공장을 운영 중인 삼성전자와 SK하이닉스가 보조금을 받을 수 있을지 세부적으로 들여다봐야 하기 때문이다.
이미 미 정부 고위당국자는 대중 반도체 수출 제한 조치를 이유로 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장에서 일정 기술 수준 이상의 반도체를 생산하지 못하도록 한도를 설정하게 될 것이라고 밝혔다.
 ◆ "2030년까지 최소 2개의 반도체 클러스터 확보" 23일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ) 등에 따르면 러몬도 장관은 이날 워싱턴DC 조지워싱턴대 강연에서 "다음 주 화요일(28일)부터 반도체지원법 보조금 신청을 받는다"며 "보조금은 기업들이 미국에서 반도체를 생산하도록 유인하자는 취지"라고 말했다.
그는 반도체지원법을 "근본적으로 국가안보 정책"이라 설명하며 "난 미국이 모든 최첨단 반도체 생산 기업이 상당한 연구개발 및 대량 제조 시설을 둔 유일한 국가가 되기를 원한다"고 말했다.
미국은 지난해 8월 반도체지원법을 통해 반도체 기업의 미국 투자를 장려하기 위해 반도체 생산 보조금(390억달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억달러) 등에 5년간 총 527억 달러의 예산을 편성했다.
러몬도 장관이 언급한 보조금은 미국 내 반도체 생산시설 건설을 위한 지원금 390억달러다.
R&D 지원금은 수개월 내에 접수를 시작할 예정이다.
러몬도 장관은 2030년까지 최소 2개의 반도체 클러스터를 확보하겠다고 밝혔다.
그는 각 클러스터에 견고한 공급 생태계와 신기술 혁신을 이루기 위한 R&D 시설을 구축할 것이라고 강조했다.
그러면서 반도체 팹이 경제적으로 경쟁력 있는 수준의 첨단 메모리반도체를 생산하고, 동시에 자동차나 의료 기기, 군사 장비 등에 주로 사용되는 성숙 공정 반도체 수요도 맞출 것이라고 말했다.
WSJ는 러몬도 장관이 클러스터의 위치를 밝히지 않았지만, 미국 인텔과 대만 TSMC가 투자해 반도체 공장을 짓고 있는 애리조나, 오하이오와 삼성전자의 반도체 투자가 이뤄진 텍사스 등이 유력하다고 전했다.
◆ "한국 등과 협력 방안 모색 중…韓 기업 환영" 러몬도 장관은 이날 질의응답에서 미국의 자국중심주의로 한국, 일본, 대만 등 동아시아의 동맹국이 경제적 피해를 본다는 지적이 나오자 미국이 원하는 것은 보조금 경쟁도, 필요한 반도체를 전부 자급자족하는 것도 아니라고 해명했다.
그는 일본과 최근 접촉했고 한국의 카운터파트와도 긴밀하게 대화하고 있다면서 미국이 향후 오랫동안 반도체 생산을 동맹에 의존할 것이라고 강조했다.
이어 한국, 유럽, 일본과 어떻게 함께 할 수 있을지에 대해 알아내기 위해 대화를 나누고 있다면서 "일본 기업도, 한국 기업도 미국에 공장을 짓고 사업을 한다면 보조금 신청을 환영한다"고 말했다.
강연 중 "다들 인텔이 얼마를 받는지, 삼성이 얼마를 받는지 알고 싶어할 것", "삼성은 이 분야 세계 리더"라고 언급하기도 했다.
국내 반도체 업계는 보조금 지급 조건에 대해 주목하고 있다.
미국은 보조금을 받는 기업이 향후 10년간 중국 등 우려국에서 반도체 생산능력을 확대하지 않기로 상무부와 협약을 체결해야 한다는 조건을 내건 상황이다.
중국이 미국의 보조금으로 혜택을 보는 일을 막기 위한 가드레일(안전장치) 조항을 마련한 것이다.
삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체가 중국 내 반도체 공장을 운영하는 상황에서 세부 요건이 중요한 상황이다.
미국은 중국 내 레거시(성숙 공정) 반도체를 생산하는 기존 시설 운영은 제한하지 않는다고 밝혔다.
레거시 반도체라도 생산능력을 확대할 경우 대부분 중국 내수용으로 생산해야 한다.
반도체지원법에는 이 레거시의 기준이 로직(비메모리) 반도체의 경우 28㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)나 그 이전 세대로 규정했다.
다만 메모리반도체에 대해서는 구체적으로 언급하질 않고 로직 반도체에 준하는 수준으로 상무부 장관이 국방부 장관과 국가정보국장과 협의해 결정하도록 규정했다.
앞서 미 상무부는 지난해 10월 대중(對中) 반도체 수출 제한 기준으로 미국 기업이 ▲핀펫(FinFET) 기술 등을 사용한 로직 칩(16㎚ 내지 14㎚ 이하) ▲ 18㎚ 이하 D램 ▲ 128단 이상 낸드플래시를 생산할 수 있는 장비와 기술을 중국에 판매할 경우 허가를 받도록 해 사실상 수출을 금지했다.
◆ 美당국자 "삼성·SK의 中 내 생산 반도체 수준에 한도" 중국에 반도체 공장을 가동 중인 국내 반도체 업체들은 미국의 대중 반도체 수출 제한 여파도 추가로 받을 것으로 예상된다.
앞서 상무부는 지난해 10월 중국에서 반도체를 생산하는 기업에 미국산 반도체 장비를 수출하지 못하게 하는 수출통제 조치를 발표하면서 삼성과 SK하이닉스의 중국 공장에는 1년 동안 장비 수입을 포괄적으로 허용했다.
러몬도 장관의 발표가 나오기 직전 같은 날 미국 정부 고위당국자는 대중 반도체 수출 제한 조치에서 1년간 유예 기간을 적용 받는 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장 생산품에 대해서는 일정 수준의 제한을 둘 가능성이 있다고 언급했다.
앨런 에스테베스 미 상무부 산업안보 차관은 이날 한국국제교류재단(KF)과 전략국제문제연구소(CSIS)가 워싱턴DC에서 개최한 한미 경제안보포럼에서 유예 기간 종료 후 어떻게 되냐는 질문에 "앞으로 어떻게 할지 기업들과 협의하고 있다.
기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다"고 말했다.
그는 "지금 기업들이 어떤 '단'의 낸드플래시를 생산하고 있다면 그 범위의 어느 수준에서 멈추게 할 것"이라고 설명했다.
중국에서 생산되는 반도체 기술 수준을 제한해 삼성전자나 SK하이닉스 등 중국 내 반도체 공장에서 첨단 반도체를 중국이 확보하는 상황을 만들지 않겠다는 것으로 풀이된다.
에스테베스 차관은 "(어디까지 허용할지는) 중국이 어떻게 행동하느냐에 달렸지만 우리는 한국 기업들과 심도 있는 대화를 하고 있다"고 밝혔다.
그러면서 그는 "중국이 우리를 위협하는 역량을 구축하는 것을 저지하는 과정에서 우리 동맹의 기업들에 피해를 주고 싶지 않다"며 "이와 관련해 (한국과) 대화를 계속하고 있다"고 말했다.
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정현진 기자 jhj48@asiae.co.kr
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