SK하이닉스가 미국에서 열리는 'TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄'에 참가해 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 'HBM4'와 최첨단 패키징 기술을 선보인다.
10일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위 TSMC 주최로 열리는 기술 심포지엄에 참가한다.
이 행사는 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다.
SK하이닉스는 지난해 행사에서 HBM3E(5세대) 제품을 소개한 바 있다.
올해는 HBM4를 선보이는 등 인공지능(AI) 메모리 1위 위상을 확고히 할 계획이다.
TSMC의 첨단 패키지 공정인 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS) 협업 현황도 공개될 것으로 보인다.
SK하이닉스는 커스텀(맞춤형) 제품인 HBM4의 개발 및 양산과 관련해 TSMC와 협력 관계를 강화해오고 있다.
앞서 양사는 지난해 4월 기술 협력 양해각서(MOU)를 체결했고 성능 향상을 위해 HBM4부터 HBM의 두뇌 역할을 하는 로직 다이 생산에 TSMC의 파운드리 공정을 활용하기로 했다.
지난달 SK하이닉스는 당초 계획보다 수개월 이상 앞당겨 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사에 공급했고 올해 하반기 본격적인 양산에 돌입할 계획이다.
TSMC는 이달 미국을 시작으로 오는 6월까지 대만, 유럽, 일본, 중국 등에서도 기술 심포지엄을 열 예정이다.
한편 SK하이닉스는 HBM에 힘입어 전 세계 D램 시장에서 삼성전자를 제치고 1위에 오른 것으로 보인다.
시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 전 세계 D램 시장 점유율은 SK하이닉스 36%, 삼성전자 34%로, 처음으로 SK하이닉스가 삼성전자를 앞질렀다.
HBM에서는 SK하이닉스가 70%의 시장 점유율로 압도적 우위를 점한 것으로 나타났다.
김형민 기자 khm193@asiae.co.kr
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