삼성전자는 인공지능(AI) 시대 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다.
삼성전자는 지난 4월 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드를 처음 양산한 데 이어 이번에 QLC 제품을 선보이며 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 한다는 계획이다.
 | | 삼성전자가 업계 최초로 양산에 성공한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’. 삼성전자 제공 |
TLC는 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있고, QLC는 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조다.
삼성전자는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다고 강조했다.
채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이고, 더블 스택은 이 채널 홀 공정을 두 번 진행해 만든 구조를 말한다.
QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성된 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 대비 비트 밀도가 약 86% 증가했다고 삼성전자는 설명했다.
V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하기 위해 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술도 활용됐다.
이를 통해 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 끌어올렸다고 한다.
삼성전자는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술' 혁신을 통해 이전 세대 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다고 강조했다.
또 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(BL)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 30%, 50% 감소했다.
삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 말했다.
박세준 기자 3jun@segye.com
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