SK키파운드리 "GaN 전력 반도체 연내 개발 목표"

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등록일 2024-06-19 11:44
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8인치 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 SK키파운드리는 차세대 질화갈륨(GaN) 전력 반도체의 소자 특성을 확보했으며 연내 개발을 마칠 예정이라고 19일 밝혔다.

GaN은 기존 실리콘 기반의 반도체 대비 저손실, 고효율, 소형화 특성이 있어 차세대 전력 반도체로 불린다.
주로 전원 공급 장치와 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다.

SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 시장성과 잠재력에 주목해 2022년 정식 팀을 구성한 뒤 GaN 공정 개발에 몰두하고 있다.
최근엔 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보했다.

650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 기존 실리콘 대비 최종 제품 가격에서 큰 차이가 나지 않을 수 있다.
실리콘 기반의 650V 제품이 쓰이는 고속 충전 어댑터와 LED 조명, 데이터센터 등에서 팹리스(반도체 설계) 기업의 제품 개발에 이점이 될 수 있다는 게 회사 설명이다.

SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN 집적회로(IC)까지 제공하는 GaN 포트폴리오를 구축할 예정이다.
관련 사업을 통해 다양한 고객사를 확보하겠다는 계획도 밝혔다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "GaN뿐 아니라 향후 실리콘카바이드(SiC)까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 말했다.

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