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[아시아경제 임주형 기자] 삼성이 올해 연말 사장단 인사에서 첫 여성 사장을 배출한 가운데 삼성의 차기 여성 사장단 후보군에도 관심이 몰리고 있다.
전자업계에서는 '여성'과 함께 이재용 삼성전자 회장이 평소 강조한 '기술'을 키워드를 공통 분모로 갖춘 인재가 차기 여성 사장으로 발탁될 가능성이 높을 것으로 보고 있다.

이번 임원 인사에서 승진한 9명의 여성 인재들 역시 이같은 요소를 갖춘 인재들이다.
이 중에서도 관심을 끄는 주인공은 20년 넘게 메모리 반도체 연구에 매진해 온 이금주 부사장이다.
그는 반도체 솔루션(DS) 부문 반도체연구소 공정개발팀에서 삼성의 핵심 제품인 D램의 차세대 공정 개발 밑 수율 개선을 책임져 왔다.

1971년생인 이 부사장은 중앙대 화학과 출신으로1996년 삼성전자에 입사했다.
처음 이 부사장이 몸담은 부서는 삼성의 메모리사업부 RS기술그룹이었다.
RS는 저항변화소자(Resistive-Switching)의 약자로 메모리 반도체를 이루는 부품 중 하나다.

이후 2002년 PE(제품 엔지니어링) 기술그룹, 2004년부터 반도체연구소에 소속돼 NRD(신기술 연구개발) 공정기술1그룹, 공정개발 1P/J(2010~2014년), 공정개발실(2014~2019년) 등을 거쳤다.
2020년에는 D램 기술개발(TD)을 지휘했고, 지난해부터 현재까지는 D램 공정개발팀에서 신공정 개발 및 수율 안정화 프로젝트를 이끌었다.

이 부사장이 몸담았던 반도체연구소는 삼성의 주력 사업인 D램의 차세대 제품 개발을 담당한다.
삼성 D램은 글로벌 시장의 약 43%를 차지하며(IC인사이츠 올해 3분기 기준), D램은 삼성 반도체 사업부 전체 매출의 50%를 책임진다.
그만큼 이 부사장이 지휘하는 반도체연구소의 성과는 삼성 전체의 경쟁력과 직결된다.

이 부사장이 반도체연구소에서 근무한 지난 12년간 삼성은 D램 분야에서 단 한 차례도 1위 자리를 놓치지 않았다.
2016년에는 메모리 반도체 업계 최초로 10나노미터(nm)급 D램 양산에 성공해 본격적인 '초격차' 시대를 열기도 했다.

또 기존 D램 미세 공정의 한계를 극복한 '3차원 D램' 기술 개발, 기존 D램의 약점인 대기전력 소모 문제를 해결한 차세대 반도체 'MRAM(M램)' 개발의 초석을 다지는 등 선행 연구개발에 힘쓴 곳도 반도체연구소다.

한편 이번 정기 인사에서 삼성은 부사장 59명, 상무 107명, 펠로우 2명, 마스터 19명 층 총 187명을 승진했다.
이 가운데 이 부사장을 비롯한 여성 및 글로벌 인재는 총 11명이다.

이와 관련해 삼성은 "글로벌 경제 불황에 따른 불확실한 경영환경 속에서도 한발 앞서 도전적으로 준비하고 과감하게 새로운 비즈니스를 찾을 수 있도록 할 것"이라며 "젊은 리더와 기술 분야의 인재 발탁을 강화했다"라고 강조했다.