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[테크홀릭] SK하이닉스가 업계 최초로 현존 최고 사양 D램인 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품인 HBM(High Bandwidth Memory) 4세대 제품 'HBM3'를 개발했다고 20일 밝혔다.
SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E(2세대 HBM에서 일부 성능을 개선한 확장(Extended) 버전) D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다.
SK하이닉스 측은 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다.
'HBM3'는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능한데 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.
또 'HBM3'는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있어 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다.
이번 'HBM3'는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이며 24GB는 업계 최대 용량이다.
'HBM3'는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.
SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.
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| SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램(사진=SK하이닉스) |
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